फिल्म कोटिंग समाधान के लिए एचपीएमसी का प्रभाव

2022/11/30 15:08

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दवा उद्योग में जलीय फिल्म कोटिंग तकनीक वर्तमान रुचि के हैं। इस तकनीक में पेंट और चिपकने वाली तकनीक दोनों में मिसालें हैं। यह लागू विज्ञान का एक क्षेत्र है जैसे कि बहुलक, सतह, यांत्रिकी और रियोलॉजिकल विज्ञान। कोटिंग की गुणवत्ता फिल्म कोटिंग सामग्री पर निर्भर करती है। इसलिए, विभिन्न फिल्म कोटिंग सामग्री से बनी फिल्मों की घुलनशीलता, पारगम्यता, यांत्रिक और रियोलॉजिकल गुणों का अध्ययन करने के लिए बहुत प्रयास किए गए हैं। फार्मास्युटिकल फिल्म कोटिंग्स पर अध्ययन ने अक्सर कास्टिंग या स्प्रेइंग तकनीकों द्वारा तैयार मुक्त फिल्मों के यांत्रिक गुणों की जांच की है। छिड़काव, परमाणुकरण, प्रसार और पैठ चरण (4) पर उनके प्रभाव के कारण कोटिंग समाधानों के रियोलॉजिकल गुण फिल्म कोटिंग प्रक्रिया में महत्वपूर्ण हैंऑल्टन और सहकर्मियों ने लोचदार, प्लास्टिक और   का अध्ययन किया है इंडेंटेशन विधि (1) द्वारा एचपीएमसी फिल्मों के विस्कोलेस्टिक गुण। ओबरा और सहकर्मियों (2) द्वारा फिल्म तैयार करने के तरीकों (कास्ट और छिड़काव वाली फिल्मों) के प्रभावों का अध्ययन किया गया। फिल्मों के जल वाष्प संचरण और यांत्रिक गुणों (पंचर शक्ति और% बढ़ाव) की जांच बहुलक प्रकार और चिपचिपाहट, प्लास्टिसाइज़र प्रकार और एकाग्रता (3) के कार्य के रूप में की गई। इस जांच का उद्देश्य कोटिंग समाधानों के विस्कोलेस्टिक व्यवहार पर बहुलक ग्रेड और प्लास्टाइज़र आणविक भार के प्रभावों की जांच करना था।

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एचपीएमसी ग्रेड के परिणाम और चर्चा प्रभाव एचपीएमसी के विभिन्न ग्रेड (ई5, ई15 और ई50) के नुकसान स्पर्शरेखा को ω के खिलाफ प्लॉट किया गया था । इन परिणामों से पता चलता है कि हानि स्पर्शरेखा ω = 6.25 (चिपचिपा गुण) तक बढ़ जाती है और फिर HPMC E50 के लिए उच्च आवृत्ति पर घट जाती है। HPMC E5 से पता चलता है कि 60 ° C (चित्र 1) को छोड़कर सभी तापमानों में इसकी कम चिपचिपाहट के कारण स्पष्ट रूप से इस आवृत्ति में हानि स्पर्शरेखा घट जाती हैयह तापमान HPMC थर्मल गेलिंग पॉइंट (= 52 ° C) से अधिक है, इसलिए वर्षा होती है और सिस्टम उच्च चिपचिपाहट और उच्च हानि स्पर्शरेखा दिखाता है। E5 और E15 के 15% (w/v) समाधानों के व्यवहार के बीच का अंतर अपेक्षाकृत समान आणविक भार (चित्र 2) के कारण E5 और E50 समाधानों में देखे जा सकने वाले से कम है। वसंत (लोचदार तत्वों) और डैशपॉट्स (चिपचिपा तत्वों) के संयोजन से बने एक यांत्रिक मॉडल का उपयोग करके, दोलन के तहत कोटिंग समाधान के व्यवहार को सबसे अच्छी तरह समझा जा सकता है। उच्च आवृत्ति पर, स्प्रिंग्स लगाए गए कतरनी के तहत बढ़ सकते हैं और अनुबंध कर सकते हैं लेकिन डैशपॉट्स को स्थानांतरित करने के लिए बहुत कम समय मिलता है (5)। इसलिए, प्रणाली अनिवार्य रूप से मापांक जी के एक लोचदार ठोस के रूप में व्यवहार करती है। कम आवृत्ति पर, स्प्रिंग्स का विस्तार भी हो सकता है लेकिन इस मामले में डैशपॉट्स को स्थानांतरित करने के लिए पर्याप्त समय होता है और उनका विस्तार स्प्रिंग्स के लिए बहुत अधिक होता है।  

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इसलिए प्रणाली अनिवार्य रूप से चिपचिपाहट η के चिपचिपा तरल पदार्थ के रूप में व्यवहार करती है। एचपीएमसी एकाग्रता का प्रभाव फिल्म कोटिंग प्रक्रिया में वास्तविक स्थिति के लिए रियोलॉजिकल डेटा और निकटता के अनुसार, टी = 40 डिग्री सेल्सियस, ω = 6.25 और एफ = 1 हर्ट्ज को जांच के लिए चुना गया था। नुकसान स्पर्शरेखा पर एचपीएमसी एकाग्रता और प्लास्टिसाइज़र आणविक भार। परिणामों से पता चला है कि नुकसान स्पर्शरेखा सभी मामलों में आवृत्ति में वृद्धि के रूप में बढ़ जाती है जब बहुलक एकाग्रता 10% से 20% w/v में बदल जाती है। क्रमशः 10, 15, 20% w/v HPMC E5 समाधानों के लिए 0.004278, 0.006923 और 0.009028 की हानि स्पर्शरेखा वृद्धि पाई गई। यह बहुलक समाधान नेटवर्क के अधिक उलझाव बिंदु से संबंधित हो सकता है क्योंकि बहुलक एकाग्रता में वृद्धि हुई है। इसलिए, बहुलक समाधान उच्च भंडारण मापांक, हानि स्पर्शरेखा और चिपचिपा गुण दिखाता है।

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संदर्भ  

(1) औल्टन एमई, अब्दुल-रज्जाक एमएच और होगन   जेई । जलीय प्रणालियों से प्राप्त हाइड्रॉक्सीप्रोपाइलमिथाइल सेलुलोज फिल्मों के यांत्रिक गुणदवा   देव। इंडस्ट्रीज़ फार्म। (1981) 7: 649-568  

(2) एस ओबरा, डब्ल्यू जेम्स। तैयार की गई फ्री फिल्मों की प्रॉपर्टी   एक छिड़काव तकनीक द्वारा जलीय पॉलिमर से। Phrm   आईआरईएस (1994) 11: 1562-1567  

(3) सी रेमनन-लोपेज़ और आर बोडमीयर। यांत्रिक और   पॉलीसेकेराइड के जल वाष्प संचरण गुण   फिल्में। ड्रग देव। इंडस्ट्रीज़ फार्म। (1996) 22: 1201-1209  

(4) एस होनरी, एच ओराफाई और ए शोजैई।   का प्रभाव प्लास्टिसाइज़र आणविक भार   के छिड़काव की छोटी बूंद के आकार पर एक अप्रत्यक्ष विधि का उपयोग कर एचपीएमसी जलीय घोल।   ड्रग देव। इंडस्ट्रीज़ फार्म। (2000) 26: 1019-1024  



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